PVD（Physical Vapor Deposition）真空镀膜机和CVD（Chemical Vapor Deposition）镀膜机是两种不同的薄膜沉积技术，它们在原理、过程和应用方面有着显著的区别：

PVD 真空镀膜机：

工作原理： PVD利用物理过程（如蒸发、溅射等）在真空环境中将固态材料转变为薄膜。材料以固体形式存在，经过加热后直接蒸发或溅射到基底表面。

沉积方式： 薄膜材料直接从源（通常是靶材）蒸发或溅射出来，并沉积在基底表面上。这种方式不涉及化学反应，而是通过物理过程进行材料沉积。

特点： PVD制备的薄膜通常具有高纯度、较高的致密性和良好的附着力，适用于金属薄膜、硬质涂层、光学膜等应用。

CVD 镀膜机：

工作原理： CVD利用化学反应在基底表面沉积薄膜材料。通过气相中的反应物在基底表面沉积出固态产物。

沉积方式： CVD涉及化学反应，通常需要气体前体（通常是气体或液体）在真空环境中经过化学反应，生成固体薄膜。

特点： CVD制备的薄膜可以拥有更复杂的化学成分和更多种类的沉积材料。它适用于生长多晶硅、氧化物、氮化物等复杂化合物薄膜。

主要区别总结：

原理不同： PVD是基于物理过程，而CVD是基于化学反应。

沉积方式不同： PVD是直接蒸发或溅射，而CVD是通过气相化学反应在表面沉积产物。

适用性不同： PVD适用于金属薄膜和硬质涂层，而CVD更适合于复杂化合物薄膜的制备。

选择PVD或CVD取决于所需薄膜的化学成分、性质、厚度和应用。有时候也会采用PVD和CVD结合的方法，称为PACVD（Plasma-Assisted Chemical Vapor Deposition），以获得特定特性的复合薄膜。